الثلاثاء، 20 أكتوبر 2026

تقرير: Samsung تستعين بـ TSMC لإنتاج قاعدة ذاكرة NVHBM

سامسونج ستصبح عميلًا لـ TSMC في تصنيع القاعدة السفلية لذاكرة NVHBM من NVIDIA، بينما تواصل إنتاج شرائح الذاكرة بنفسها.

شريف حربي
بواسطةشريف حربي
مؤسس ترقيتك ورئيس تحريرها، ويعمل في مجال التوظيف عبر منصته إيجينكس. يكتب عن الذكاء الاصطناعي والألعاب والتقنية بلغة بسيطة ومعلومة موثوقة.
مدة القراءة: 3 د
ترقيتك
أبرز النقاط
  • تتعاون Samsung مع TSMC لتأمين القاعدة السفلية (base die) لمعيار NVHBM، بحسب تقرير غير رسمي.
  • تشترط NVIDIA تصنيع القاعدة السفلية بتقنية 3 نانومتر من TSMC، رغم أن Samsung تملك خطوطًا خاصة بها.
  • تدّعي NVIDIA أن NVHBM يوفر نطاقًا تردديًا أعلى بنسبة تصل إلى 30% واستهلاك طاقة أقل بنسبة 15% مقارنة بـ HBM4E.
  • تواصل Samsung إنتاج شرائح الذاكرة بعملية الجيل السادس من فئة 10 نانومتر.

بحسب تقرير نقله موقع TechPowerUp، تتعاون سامسونج (Samsung) مع تي إس إم سي (TSMC)، أكبر مصنّع شرائح في العالم، لتأمين «القاعدة السفلية» (base die) لمعيار الذاكرة الجديد NVHBM الذي أعلنته إنفيديا (NVIDIA). لم يصدر تأكيد رسمي للتعاون، ولا يرتبط الخبر حاليًا بمنتج استهلاكي معلن.

ما هو NVHBM وما الذي يقدمه؟

HBM هي ذاكرة عالية النطاق الترددي (High Bandwidth Memory): شرائح ذاكرة مكدسة فوق بعضها داخل حزمة واحدة قرب المعالج. يبني NVHBM على البنية نفسها، لكنه يدمج المتحكم (controller) داخل الكومة ثلاثية الأبعاد مع تخصيص القاعدة السفلية، ما يرفع الأداء والكفاءة. وتقول NVIDIA إنه يتفوق على HBM4E القياسية بالآتي:

  • نطاق ترددي أعلى بنسبة تصل إلى 30%.
  • استهلاك طاقة أقل بنسبة 15% في الذاكرة.
  • مساحة أكبر قابلة للاستخدام في شريحة المعالجة بنسبة تصل إلى 25%.

هذه أرقام تعلنها NVIDIA نفسها، فتعامل معها كادعاءات شركة لا كنتائج اختبار مستقل.

لماذا تحتاج Samsung إلى TSMC؟

هناك شروط صارمة قبل بدء الإنتاج الضخم، وأغربها أن القاعدة السفلية في NVHBM يجب أن تُصنع بتقنية 3 نانومتر من TSMC. تملك Samsung خطوط 3 نانومتر خاصة بها، لكن الملكية الفكرية (IP) لدى NVIDIA مُحسّنة لعُقد TSMC، فتضطر Samsung لتكون عميلًا لها رغم قدراتها الذاتية.

- إعلان -

الترتيب يخص القاعدة السفلية الملاصقة لشرائح المعالجة فقط. أما شرائح الذاكرة فتواصل Samsung إنتاجها بعملية الجيل السادس من فئة 10 نانومتر المعتادة في HBM، أي أن TSMC تتولى جزءًا من التصنيع فقط.

أين تقف Samsung في سباق HBM؟

طورت Samsung بالفعل HBM4E بسرعة 16 جيجابت في الثانية لكل دبوس، وتشحن نسخة بسرعة 14 جيجابت منذ نهاية مايو 2026. ويعني دخولها مشروع NVHBM أن العملاء يبحثون عن بدائل أكثر قوة. ولو تحققت زيادة الـ 30%، فقد تبلغ حزمة NVHBM الواحدة نحو 5.2 تيرابايت في الثانية نظريًا، بينما يمنح خفض الطاقة بنسبة 15% هامشًا حراريًا إضافيًا لشريحة المعالجة.

وبحسب تقارير سابقة، اجتازت HBM4E من Samsung اختبارات Rubin Ultra من NVIDIA (تقرير 7 أكتوبر 2026)، وخصصت Samsung Foundry نصف سعة 4 نانومتر لقواعد HBM4 السفلية (تقرير 7 سبتمبر 2026).

ماذا يعني لك؟

لا يوجد منتج استهلاكي معلن يعتمد على NVHBM، ولم يُعلن أي سعر أو موعد طرح، فلن تلمس أثر الخبر مباشرة في مصر أو الخليج. التأثير غير مباشر: سوق الذاكرة مشدود أصلًا، فقد توقعت إس كيه هاينكس (SK hynix) استمرار نقص الإمدادات حتى 2028، وقال رئيسها التنفيذي لاحقًا إنه قد يمتد إلى 2030. لذا فأي تغيير في توزيع التصنيع بين Samsung وشركة TSMC يستحق المتابعة لمن يخطط لشراء جهاز جديد.

وإن كان اهتمامك بمنتجات Samsung الاستهلاكية، فتابع تسريبات أسعار Galaxy S27 وتفاصيل تحديث One UI 9.0، وللمزيد من أخبار العتاد زر قسم أخبار التقنية.

- إعلان -

رأي ترقيتك

المشهد لافت: Samsung تملك مصنعًا متقدمًا وذاكرة قوية، ومع ذلك تقف في موقع العميل لدى TSMC لأن متطلبات NVIDIA حسمت الأمر. أرى أن هذا يوضح من يملك القرار في سلسلة توريد الذاكرة المتقدمة اليوم، وأن الأرقام المعلنة تحتاج إلى اختبارات فعلية قبل الحكم عليها.

Add TarqiaTak as a preferred source on GoogleAdd TarqiaTak as a preferred source on Google
شارك هذا المقال
بواسطةشريف حربي
متابعة
مؤسس ترقيتك ورئيس تحريرها، ويعمل في مجال التوظيف عبر منصته إيجينكس. يكتب عن الذكاء الاصطناعي والألعاب والتقنية بلغة بسيطة ومعلومة موثوقة.
لا توجد تعليقات

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *